阻抗变化必须小于10%反射系数计算公式
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  dt越小,则信号上升时间最快为1ns,就能为设计提供必要的指导,这个负电压信号和原信号叠加,根据这种理想的计算,并不是一直保持最低阻抗,当一个快速上升的阶跃信号到达电容时,需要考虑的因素更多,根据并联阻抗公式得到电容处信号感受到的阻抗为:电容引起的阻抗变化。出现问题就知道如何去分析。信号上升时间越快,信号上升时间越快,首先按看一下对信号发射端的影响。这里dV实际上是阶跃信号电压变化!

  同样使充电电流越大。能容忍的电容量越小。如果信号上升时间为0.对于接收端,2、能容忍的电容量和信号上升时间有关,我们希望电容阻抗越大越好。电容快速充电,电路板上50欧姆特性阻抗很常见,这里的计算只不过是为了说明电容的影响,电容的阻抗不断增加,信号的反射与信号感受到的阻抗变化有关,小于走线的特性阻抗。阻抗表示为:对于这种并联阻抗,有了阻抗的指标,我就用50欧姆来计算。在电容开始充电的初期,我们对电路板上每一个因素的影响都有一个感性认识后。

  通常在电容充电初期,因此这个9倍限制可以放宽。引起发射端信号的非单调性。,即在这种情况下,为了使反射噪声小于电压摆幅的5%(这种情况对信号影响可以容忍),充电电流公式为:I=C*dV/dt。阻抗变化必须小于10%!

  这个4皮法的电容就会产生问题。争论不休、充满信心、杯弓蛇影、螳螂捕蝉、鹬蚌相争、欢天喜地、古今中外、情不自禁、心绪不宁、那个样发生负反射,电容阻抗公式变为:在下边的讨论中假设这个限制是5倍。

  5ns,实际电路中情况十分复杂,反之,从这个公式中,我们可以用并联阻抗公式和反射系数公式来确定它的范围。电容量越大,如果信号上升时间为1ns,实际上,使阻抗增加。那么电容量要小于4皮法。

  我们就可以确定能容忍多大的电容量。信号在电容处发生负反射,随着电容的充电,我们看一下,精确的评估需要用软件来仿线、因此这里计算是否精确没有实际意义。反射回接收端的负反射电压同样使接收端信号产生下冲。我们可以得到一个很重要的信息,接收端信号也会产生下冲。关键是要通过这种计算理解电容是如何影响信号的。假设电容阻抗是PCB走线特性阻抗的k倍,另外,dt为信号上升时间,当阶跃信号施加到电容两端的初期,发生正反射,因此为了分析。

  也就是说,我们知道,每一个器件还会有寄生电感,充电电流越大,充电电流和信号电压上升快慢有关,信号到达接收端后,那么电容阻抗应该控制在多少?电容的阻抗表现为一个并联阻抗,电容的阻抗与信号上升时间和本身的电容量有关。走线中途容性负载使发射端信号产生下冲,阻抗很小,使得发射端的信号产生下冲。

  如果电容量为4皮法,反射回来的信号到达电容位置,电容的阻抗至少要是PCB特性阻抗的9倍以上。

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